40m3/d壹體化汙水(shui)處理裝置

溫(wen)度(du)對掛(gua)膜行為的(de)影(ying)響
水(shui)溫(wen)是微(wei)生(sheng)物(wu)的(de)重要(yao)生(sheng)存(cun)因子(zi),在(zai)適宜的(de)水(shui)溫(wen)範圍內微(wei)生(sheng)物(wu)可(ke)大(da)量(liang)生(sheng)長(chang)繁殖(zhi)。每壹種微(wei)生(sheng)物(wu)都有(you)壹個適生(sheng)長(chang)溫(wen)度(du)，在(zai)壹定(ding)溫(wen)度(du)範圍內大(da)多(duo)數微(wei)生(sheng)物(wu)的(de)新陳(chen)代謝活動(dong)都會(hui)隨(sui)著(zhe)溫(wen)度(du)的(de)升(sheng)高而(er)增(zeng)強(qiang)，隨(sui)著(zhe)溫(wen)度(du)的(de)下降(jiang)而(er)減(jian)弱。好(hao)氧(yang)微(wei)生(sheng)物(wu)的(de)適宜溫(wen)度(du)範圍是10—35℃。水(shui)溫(wen)對硝(xiao)化(hua)菌的(de)生(sheng)長(chang)和硝(xiao)化(hua)速率(lv)有(you)較(jiao)大(da)的(de)影(ying)響。大(da)多(duo)數硝(xiao)化(hua)菌合適的(de)生(sheng)長(chang)溫(wen)度(du)是25—30℃之(zhi)間，當(dang)溫(wen)度(du)低於25℃或(huo)者(zhe)高(gao)於30℃硝(xiao)化(hua)菌生(sheng)長(chang)減(jian)慢(man)，10℃以(yi)下硝(xiao)化(hua)菌的(de)生(sheng)長(chang)及硝(xiao)化(hua)作(zuo)用(yong)顯著(zhu)減(jian)慢(man)。
在(zai)10℃、20℃、35℃左(zuo)右(you)時進(jin)行掛膜試(shi)驗(yan)，同(tong)時(shi)在(zai)整(zheng)個掛膜過(guo)程(cheng)中(zhong)測(ce)定(ding)填料(liao)上(shang)附著(zhe)的(de)微(wei)生(sheng)物(wu)量(liang)，根(gen)據(ju)結果繪(hui)制(zhi)不(bu)同(tong)溫(wen)度(du)下的(de)微(wei)生(sheng)物(wu)量(liang)變(bian)化(hua)曲線如圖(tu)所(suo)示。在(zai)10℃時(shi)，掛(gua)膜(mo)啟(qi)動(dong)較(jiao)慢(man)，經過7d才(cai)有明(ming)顯的(de)生(sheng)物(wu)膜(mo)附(fu)著(zhe)，掛膜成熟(shu)經過了21d，附著生(sheng)物(wu)量(liang)大(da)值為2.1 g/L；在(zai)35℃時(shi)，經過4d生(sheng)物(wu)膜(mo)開始形成(cheng)，生(sheng)物(wu)膜(mo)成(cheng)熟(shu)經歷了大(da)約19d，附(fu)著生(sheng)物(wu)膜(mo)量(liang)大(da)值為3.5g/L；在(zai)20℃左(zuo)右(you)時，經過2d生(sheng)物(wu)膜(mo)開始形成(cheng)，生(sheng)物(wu)膜(mo)成(cheng)熟(shu)經過了10d左(zuo)右(you)，附著(zhe)生(sheng)物(wu)膜(mo)量(liang)大(da)值為5.7g/L。可見，溫(wen)度(du)對掛(gua)膜的(de)影(ying)響不(bu)大(da)明(ming)顯，在(zai)15℃～30℃範(fan)圍內，填料(liao)表(biao)面生(sheng)物(wu)膜(mo)都能夠(gou)形成(cheng)，掛(gua)膜(mo)啟(qi)動(dong)的(de)比(bi)較(jiao)快(kuai)。

溫(wen)度(du)是影(ying)響生(sheng)物(wu)活(huo)性(xing)和代謝能力的(de)關(guan)鍵因素，其對(dui)硝(xiao)化(hua)反應(ying)過程(cheng)的(de)影(ying)響主(zhu)要(yao)在(zai)於硝(xiao)化(hua)細(xi)菌的(de)生(sheng)長(chang)規(gui)律(lv)及生(sheng)物(wu)活(huo)性(xing)上(shang)。
溫(wen)度(du)對生(sheng)物(wu)活(huo)性(xing)的(de)影(ying)響表(biao)現為：壹是對生(sheng)化(hua)反(fan)應(ying)速率(lv)的(de)影(ying)響；二(er)是對(dui)氧(yang)的(de)傳(chuan)質(zhi)速率(lv)的(de)影(ying)響。
載(zai)體比(bi)表面(mian)積(ji)、表面(mian)粗糙度(du)對生(sheng)物(wu)膜(mo)附(fu)著(zhe)性(xing)能的(de)影(ying)響
微(wei)生(sheng)物(wu)的(de)表(biao)面積(ji)、表面(mian)粗糙度(du)形成(cheng)初期生(sheng)物(wu)膜(mo)的(de)主(zhu)要(yao)因素。大(da)的(de)比(bi)表面(mian)積(ji)、粗糙度(du)提(ti)高了載體對微(wei)生(sheng)物(wu)的(de)捕捉能力。
表面(mian)粗糙度(du)大(da)的(de)載(zai)體對水(shui)流具(ju)有(you)更(geng)強(qiang)的(de)重新分(fen)布(bu)能力使(shi)反應(ying)器內(nei)水(shui)流對(dui)載(zai)體上(shang)生(sheng)物(wu)膜(mo)的(de)剪切(qie)力(li)變(bian)小(xiao)，同(tong)時(shi)為微(wei)生(sheng)物(wu)與(yu)基(ji)質(zhi)之(zhi)間的(de)混(hun)合和接觸(chu)提(ti)供了有利的(de)內(nei)環境，促(cu)進(jin)了生(sheng)物(wu)膜(mo)在(zai)填(tian)料(liao)表(biao)面的(de)積(ji)累。
粗糙表(biao)面比(bi)光滑(hua)表面具有更(geng)厚(hou)的(de)層(ceng)流邊界層，能提(ti)供良好(hao)的(de)靜態水(shui)力學環(huan)境從(cong)而(er)避免(mian)水(shui)流剪切(qie)力(li)對附著微(wei)生(sheng)物(wu)增(zeng)長(chang)的(de)不(bu)利(li)影響，所(suo)以(yi)在(zai)生(sheng)物(wu)膜(mo)形(xing)成(cheng)的(de)初(chu)階段，較(jiao)大(da)的(de)比(bi)表面(mian)積(ji)、表面(mian)粗糙度(du)可使(shi)生(sheng)物(wu)膜(mo)的(de)形(xing)成速度(du)加快。

生(sheng)物(wu)法(fa)機(ji)理——生(sheng)物(wu)硝(xiao)化(hua)和反硝(xiao)化(hua)機(ji)理
在(zai)汙(wu)水(shui)的(de)生(sheng)物(wu)脫氮(dan)處(chu)理過程(cheng)中(zhong)，首先在(zai)好(hao)氧(yang)條件(jian)下,通(tong)過(guo)好(hao)氧(yang)硝(xiao)化(hua)菌的(de)作(zuo)用(yong) ,將(jiang)汙水(shui)中(zhong)的(de)氨(an)氮(dan)氧(yang)化(hua)為亞硝(xiao)酸鹽或(huo)硝(xiao)酸鹽 ;然(ran)後(hou)在(zai)缺(que)氧(yang)條件(jian)下,利(li)用(yong)反硝(xiao)化(hua)菌(脫氮(dan)菌)將(jiang)亞硝(xiao)酸鹽和硝(xiao)酸鹽還原(yuan)為氮(dan)氣(qi)而(er)從(cong)汙水(shui)中(zhong)逸(yi)出(chu)。因而(er),汙水(shui)的(de)生(sheng)物(wu)脫氮(dan)包(bao)括硝(xiao)化(hua)和反硝(xiao)化(hua)兩個階段。

40m3/d壹體化汙水(shui)處理裝置硝(xiao)化(hua)反應(ying)是將(jiang)氨(an)氮(dan)轉(zhuan)化為硝(xiao)酸鹽的(de)過(guo)程 ,包括(kuo)兩個基(ji)本(ben)反應(ying)步驟 : 由亞硝(xiao)酸菌參與的(de)將(jiang)氨(an)氮(dan)轉(zhuan)化為亞硝(xiao)酸鹽的(de)反(fan)應(ying);由硝(xiao)酸菌參與的(de)將(jiang)亞硝(xiao)酸鹽轉(zhuan)化為硝(xiao)酸鹽的(de)反(fan)應(ying)。
在(zai)缺(que)氧(yang)條件(jian)下,由於兼(jian)性(xing)脫氮(dan)菌(反硝(xiao)化(hua)菌) 的(de)作(zuo)用(yong),將(jiang)硝(xiao)化(hua)過程(cheng)中(zhong)產(chan)生(sheng)的(de)硝(xiao)酸鹽或(huo)亞硝(xiao)酸鹽還原(yuan)成N2的(de)過(guo)程,稱(cheng)為(wei)反硝(xiao)化(hua)。反硝(xiao)化(hua)過程(cheng)中(zhong)的(de)電(dian)子供體是各種各樣(yang)的(de)有(you)機(ji)底(di)物(wu)(碳(tan)源) 。
生(sheng)物(wu)脫氮(dan)法(fa)可去(qu)除多(duo)種含氮(dan)化(hua)合物,總(zong)氮(dan)去(qu)除率(lv)可(ke)達70%—95%,二(er)次(ci)汙(wu)染小(xiao)且(qie)比(bi)較(jiao)經濟(ji),因此(ci)在(zai)國(guo)內(nei)外運用(yong)多(duo)。但缺(que)點是(shi)占(zhan)地面積(ji)大(da),低溫(wen)時效(xiao)率(lv)低(di)。

傳(chuan)統(tong)生(sheng)物(wu)法(fa)
目(mu)前(qian), 國內(nei)外對(dui)氨(an)氮(dan)汙(wu)水(shui)實際(ji)處(chu)理中(zhong)應(ying)用(yong)較(jiao)成(cheng)熟(shu)的(de)生(sheng)物(wu)處(chu)理方法(fa)是傳(chuan)統(tong)的(de)前(qian)置反(fan)硝(xiao)化(hua)生(sheng)物(wu)脫氮(dan),如(ru)A/O、A2/O工(gong)藝(yi)等(deng),都能在(zai)壹定(ding)程度(du)上(shang)去(qu)除汙(wu)水(shui)中(zhong)的(de)氨(an)氮(dan)。傳(chuan)統(tong)生(sheng)物(wu)脫氮(dan)途(tu)徑壹般包括(kuo)硝(xiao)化(hua)和反硝(xiao)化(hua)兩個階段,硝(xiao)化(hua)和反硝(xiao)化(hua)反應(ying)分別由硝(xiao)化(hua)菌和反硝(xiao)化(hua)菌作(zuo)用(yong)完(wan)成(cheng),由於對(dui)環(huan)境條件(jian)的(de)要(yao)求(qiu)不(bu)同(tong),這(zhe)兩個過程不(bu)能同(tong)時(shi)發生(sheng),而(er)只能序列(lie)式(shi)進(jin)行,即(ji)硝(xiao)化(hua)反應(ying)發生(sheng)在(zai)好(hao)氧(yang)條件(jian)下,反(fan)硝(xiao)化(hua)反應(ying)發生(sheng)在(zai)缺(que)氧(yang)或(huo)厭(yan)氧(yang)條件(jian)下。由此(ci)而(er)發展起(qi)來(lai)的(de)生(sheng)物(wu)脫氮(dan)工(gong)藝(yi)大(da)多(duo)將(jiang)缺(que)氧(yang)區(qu)與(yu)好(hao)氧(yang)區(qu)分(fen)開,形(xing)成分(fen)級(ji)硝(xiao)化(hua)反硝(xiao)化(hua)工(gong)藝(yi),以(yi)便硝(xiao)化(hua)與反(fan)硝(xiao)化(hua)能夠(gou)獨立(li)地進行。